Pesquisa | SciELO

This paper focuses on recent results on the optical properties of self-assembled quantum dots involving type-I InGaAs/GaAs and type-II InP/GaAs interfaces. In the first part, we focus on the InGaAs/GaAs quantum dots, that were used to study the influence of a two-dimensional electron gas on the optical emission of single quantum dots. In the second part, we present the results on type-II InP/GaAs quantum dots. In this system, we observed an experimental evidence indicating that the model used to interpret the blue shift of the type-II quantum well optical emission cannot be applied to type-II quantum dots.

We present calculations of the conductance in semiconductor quasi-one-dimensional systems using the Landauer formalism. We consider the effects on the transport properties inside semiconductor quantum waveguides of different shapes when a defect is located either in the wire region or in the quasi-two-dimensional region. We observe changes on the plateau's threshold when the defect is placed inside the wire and lowering of the conductance plateaus themselves below the conductance quantum G0 =2e² /h when the defect is outside the wire.

Cód. do Índice	Elemento
ti	título do artigo
au	autor
kw	palavras-chave do artigo
subject	assunto (palavras do título, resumo e palavras-chave)
ab	resumo
ta	título abreviado da revista (ex. Cad. Saúde Pública)
journal_title	título completo da revista (ex. Cadernos de Saúde Pública)
la	código do idioma da publicação (ex. pt - Português, es - Espanhol)
type	tipo do documento
pid	identificador da publicação
publication_year	ano de publicação do artigo
sponsor	financiador
aff_country	código do país de afiliação do autor
aff_institution	instituição de afiliação do autor
volume	volume do artigo
issue	número do artigo
elocation	elocation
doi	número DOI
issn	ISSN da revista
in	código da coleção SciELO (ex. scl - Brasil, col - Colômbia)
use_license	código da licença de uso do artigo

Não foram encontrados documentos para sua pesquisa